中国攻克半导体量子点芯片 与CMOS工艺兼容！

中国科学院上海微系统与信息技术研究所取得重要突破，成功实现了III-V族半导体量子点光源与CMOS工艺兼容的碳化硅光子芯片异质集成。这一创新性的混合集成方案，将含InAs量子点的GaAs波导精准堆叠至4H-SiC电光材料制备的微环谐振腔上，形成回音壁模式的平面局域光场。

进一步研究中，在片上集成微型加热器后，研究人员实现了对量子点激子态光谱范围的宽达4nm的调谐。这一片上热光调谐能力使得腔模与量子点光信号达到精准匹配，实现了微腔增强的确定性单光子发射。实验证明，该技术在4H-SiC光子芯片上具有扩展潜力，并能克服不同微腔间固有频率差异带来的问题。

这项新技术结合了高纯度和CMOS工艺兼容性，并且有望推动实用化的光量子网络发展。