利用等离子体刻蚀技术 硅垂直通道蚀刻效率提高100%

最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家们合作设计了一种新的蚀刻工艺。该方法使用氟化氢等离子体，将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了100%。只需要1分钟即可完成640纳米的蚀刻过程。

这一创新的关键在于，在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露在等离子体形式的化学物质中。让等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用，从而生成孔洞通道。

研究还发现，结合三氟化磷等特定化学材料可以进一步改进蚀刻工艺。然而，需要注意到的是，在某些情况下，一些副产品可能会影响蚀刻效率。但只需加入适量的水就可以解决这个问题。例如，在低温下加入水可以让盐分解，并加速整个过程。

这些研究成果有望为3D NAND闪存技术提供更加先进的制造工艺和更高的存储密度。同时，这些创新也将降低成本并提高数据传输速度。未来，我们可以期待更多关于存储单元堆叠技术的研究成果和应用进展。