突破性进展！三星400层NAND闪存开发完成：最快2025年二季度末量产

据最新报道，三星公司成功研发出创新性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将其投入大规模生产。这一突破有望超越SK海力士此前宣布量产的321层NAND Flash技术。预计三星将在2025年国际固态电路会议上详细介绍其1Tb容量的400层堆叠TLC NAND Flash产品，并计划于同年下半年开始量产。

市场分析师预测，如果进展顺利，量产活动可能会在2025年第二季度末启动。除此之外，三星还计划增加其先进内存产品线的产量。该公司计划在其平泽园区建设新设施，以便生产第9代（286层）堆叠的NAND Flash闪存晶圆片，预计月产能将达到30000至40000片。

同时，三星还在中国西安工厂进行生产线转换，将原本的128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线升级为236层堆叠（V8）。目前，在全球NAND Flash闪存市场中，三星占有36.9%的份额。面对SK海力士的激烈竞争，这一突破显得尤为重要。